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PolarHT TM
Power MOSFET
IXTH 96N20P
IXTQ 96N20P
IXTT 96N20P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200 V
= 96 A
≤ 24 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
200
V
G
D
S
(TAB)
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
200
V
V GSS
V GSM
I D25
I D(RMS)
Continous
Transient
T C = 25 ° C
External lead current limit
± 20
± 30
96
75
V
V
A
A
TO-3P (IXTQ)
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
225
60
A
A
G
D
S
(TAB)
E AR
T C = 25 ° C
50
mJ
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
1.5
10
J
V/ns
TO-268 (IXTT)
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
600
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
G
S
D = Drain
TAB = Drain
D (TAB)
M d
Weight
Mounting torque
TO-3P
TO-247
TO-268
(TO-3P, TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
5.5 g
6.0 g
5.0 g
l
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Advantages
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
200
V
l
l
Easy to mount
Space savings
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.5
5.0
V
l
High power density
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
25
250
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
24
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99117E(10/05)
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